Formación de heterouniones de p-CuO/n-ZnO

Abstract

"Históricamente, los semiconductores han tomado un rol fundamental en el desarrollo tecnológico. Entre ellos, los óxidos metálicos tales como el Óxido de Zinc (ZnO) y el óxido de Cobre u óxido cúprico (CuO), han sido empleados en diferentes aplicaciones como: celdas solares, sensores de gases, catálisis, entre otras. Se sabe que de manera natural, el CuO exhibe una conductividad eléctrica tipo-p, y por su parte, el ZnO presenta una conductividad tipo-n. Esto ha despertado un reciente interés en la formación de heterouniones de ambos semiconductores debido al potencial de aplicaciones de las uniones p-n. En este trabajo se presentan los resultados de la caracterización de heterouniones de p-CuO/n-ZnO fabricadas mediante oxidación térmica y transporte en fase vapor. Las estructuras de CuO y ZnO fueron caracterizadas individualmente por las técnicas de difracción de rayos-X, microscopía electrónica de barrido, espectroscopia por dispersión de electrones y efecto Hall. Se confirmó la conductividad eléctrica de ambos semiconductores, lo que permitió la caracterización corriente-voltaje de la unión p-n."