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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.date.accessioned2018-07-26T00:35:40Z-
dc.date.available2018-07-26T00:35:40Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.urihttp://reini.utcv.edu.mx:80/handle/123456789/1188-
dc.descriptionPonencia que será publicada en las memorias del congreso "Congreso Nacional de Ciencia e Ingeniería en Materiales" que fue organizado por la Universidad Tecnológica del Centro de Veracruz.es_MX
dc.description.abstract"Estudiamos teóricamente el coeficiente de transmisión y las frecuencias de escape (como sistema abierto) en sistemas de capas dieléctricas con diferentes configuraciones. Entre las estructuras estudiadas se encuentran sistemas regulares, que consisten de varias bicapas con capas de índices de refracción n1 y n2. Asimismo, estudiamos sistemas de capas donde el índice de refracción está modulado por una función gaussiana. Se analiza la ecuación de onda para incidencia normal. Para los sistemas gaussianos puede ocurrir la aparición de bandas de paso planas separadas por brechas donde no hay transmisión. Las frecuencias de escape w=wr-iT están muy cercanas a dichas bandas, aunque no es una coincidencia exacta. wr es la frecuencia y Γ describe el ancho del estado. Asociamos la formación de la banda de transparencia debido al ensanchamiento de los estados por la disminución de su vida finita. Para realizar los cálculos se utiliza el método de matriz de transferencia."es_MX
dc.languagespaes_MX
dc.publisherUniversidad Tecnológica del Centro de Veracruzes_MX
dc.relationMaría de la Luz Silba Velez. (2018). Transmisión y escape en cristales fotónicos. Congreso Nacional de Ciencia e Ingeniería en Materiales: Universidad Tecnológica del Centro de Veracruz.es_MX
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0es_MX
dc.subjectNanotecnologíaes_MX
dc.titleTransmisión y escape en cristales fotónicoses_MX
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/preprintes_MX
dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.rights.accessinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_MX
dc.authorMARIA DE LA LUZ SILBA VELEZ*info:eu-repo/dai/mx/cvu/*366828es_MX
dc.authorDAVID ARMANDO CONTRERAS SOLORIO*info:eu-repo/dai/mx/cvu/*8487es_MX
dc.areainfo:eu-repo/classification/cti/7es_MX
Aparece en las colecciones: Ponencias -CNCIM 2018

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