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Campo DC Valor Lengua/Idioma
dc.date.accessioned2018-07-18T20:12:11Z-
dc.date.available2018-07-18T20:12:11Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.urihttp://reini.utcv.edu.mx:80/handle/123456789/1034-
dc.descriptionPóster presentado en el Congreso Nacional de Ciencia e Ingeniería en Materiales, organizado por la Universidad Tecnológica del Centro de Veracruz.es_MX
dc.description.abstract"Debido a que el VO2 presenta una fase de transición reversible semiconductor-metal a 68°C, dicho material ha sido investigado para diferentes aplicaciones [1-2]. El siguiente trabajo, se centra en el estudio de la disminución de la temperatura de transición del VO2, mediante el depósito de Oxalato vanadil puro y dopado al 1 y 4% con nanopartículas de TiO2 sobre sustratos de silicio poroso nanoestructurado y silicio cristalino, utilizando el método de spin coating..."es_MX
dc.languagespaes_MX
dc.publisherUniversidad Tecnológica del Centro de Veracruzes_MX
dc.relationMaldonado O.. (2018). Efecto de porosidad superficial del silicio, sobre las propiedades de VO2 dopado con TiO2 . Congreso Nacional de Ciencia e Ingeniería en Materiales: Universidad Tecnológica del Centro de Veracruz.es_MX
dc.rightshttp://creativecommons.org/licenses/by/4.0es_MX
dc.subjectNanotecnologíaes_MX
dc.titleEfecto de porosidad superficial del silicio, sobre las propiedades de VO2 dopado con TiO2es_MX
dc.typeinfo:eu-repo/semantics/conferencePosteres_MX
dc.audiencegeneralPublices_MX
dc.rights.accessinfo:eu-repo/semantics/openAccesses_MX
dc.authorOCTAVIO MALDONADO SAAVEDRA*info:eu-repo/dai/mx/cvu/*273217es_MX
dc.areainfo:eu-repo/classification/cti/7es_MX
Aparece en las colecciones: Cartel - Póster de congreso



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