Please use this identifier to cite or link to this item:
http://reini.utcv.edu.mx:80/handle/123456789/1034| Title: | Efecto de porosidad superficial del silicio, sobre las propiedades de VO2 dopado con TiO2 |
| Keywords: | Nanotecnología |
| Issue Date: | 2018 |
| Publisher: | Universidad Tecnológica del Centro de Veracruz |
| Abstract: | "Debido a que el VO2 presenta una fase de transición reversible semiconductor-metal a 68°C, dicho material ha sido investigado para diferentes aplicaciones [1-2]. El siguiente trabajo, se centra en el estudio de la disminución de la temperatura de transición del VO2, mediante el depósito de Oxalato vanadil puro y dopado al 1 y 4% con nanopartículas de TiO2 sobre sustratos de silicio poroso nanoestructurado y silicio cristalino, utilizando el método de spin coating..." |
| Description: | Póster presentado en el Congreso Nacional de Ciencia e Ingeniería en Materiales, organizado por la Universidad Tecnológica del Centro de Veracruz. |
| metadata.dc.identifier.*: | http://reini.utcv.edu.mx:80/handle/123456789/1034 |
| metadata.dc.language: | spa |
| Appears in Collections: | Cartel - Póster de congreso |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| Efecto de porosidad superficial del silicio, sobre las propiedades de VO2 dopado con TiO2.pdf | 219.45 kB | Adobe PDF | View/Open | |
| POSTER_RFC_rev.pdf | 1.95 MB | Adobe PDF | View/Open | |
| Carta_reyna_falcon.pdf | 58.5 kB | Adobe PDF | View/Open |
Los ítems de ReInI-UTCV están protegidos por copyright, con todos los derechos reservados, a menos que se indique lo contrario.