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http://reini.utcv.edu.mx:80/handle/123456789/1034| Título : | Efecto de porosidad superficial del silicio, sobre las propiedades de VO2 dopado con TiO2 |
| Palabras clave : | Nanotecnología |
| Fecha de publicación : | 2018 |
| Editorial : | Universidad Tecnológica del Centro de Veracruz |
| Resumen : | "Debido a que el VO2 presenta una fase de transición reversible semiconductor-metal a 68°C, dicho material ha sido investigado para diferentes aplicaciones [1-2]. El siguiente trabajo, se centra en el estudio de la disminución de la temperatura de transición del VO2, mediante el depósito de Oxalato vanadil puro y dopado al 1 y 4% con nanopartículas de TiO2 sobre sustratos de silicio poroso nanoestructurado y silicio cristalino, utilizando el método de spin coating..." |
| Descripción : | Póster presentado en el Congreso Nacional de Ciencia e Ingeniería en Materiales, organizado por la Universidad Tecnológica del Centro de Veracruz. |
| metadata.dc.identifier.*: | http://reini.utcv.edu.mx:80/handle/123456789/1034 |
| metadata.dc.language: | spa |
| Aparece en las colecciones: | Cartel - Póster de congreso |
Ficheros en este ítem:
| Fichero | Descripción | Tamaño | Formato | |
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